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IXFH 140N10P
IXFT 140N10P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-247 AD Outline
g fs
C iss
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , Note 1
45
65
4700
S
pF
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
1850
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
600
35
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 60 A
50
ns
t d(off)
t f
R G = 4 ? (External)
85
26
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
Q g(on)
155
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
(TO-247)
33
85
0.21
nC
nC
0.25 ° C/W
° C/W
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
C .4 .8
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
D 20.80 21.46
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
140
300
1.5
A
A
V
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
.170 .216
242 BSC
t rr
Q RM
I RM
I F = 25 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 50 V, V GS = 0 V
150
0.8
6
200 ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
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